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8G內存破千在即 揭秘存儲產品暴漲之謎【4】

王輝
2017年10月26日08:34 | 來源:中關村在線
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原標題:8G內存破千在即 揭秘存儲產品暴漲之謎

  存儲產品漲價的內外因分析

  在了解了相當多的閃存知識之后,我們可以再回過頭來,一起聊聊存儲產品為何會出現如此的暴漲。

  核心原因,以閃存顆粒為代表的原材料缺貨,這裡不單提閃存顆粒,是因為內存等產品其實是DARM顆粒的缺貨,以免引發爭議,其實本質上二者的原料和工藝相差不大。

  那麼閃存顆粒等原材料為何缺貨呢?一聊到這裡,不少熱心網友一定會熱血沸騰、煞有其事的說到,“肯定是三星等閃存廠商背后操縱產量,引發缺貨,價格上漲”。

  對於此,筆者不發表任何態度,對於陰謀論,什麼時候都會有,任何事件都會有人提,在這裡筆者僅僅說說個人看法。

  閃存顆粒等原材料(包括內存DARM顆粒)的原因,主要有兩個,也可以說是兩方面。一方面是內因,另一個是外因。

8G內存破千在即 揭秘存儲產品暴漲之謎

  良品率是內因

  內因是,晶圓技術不夠成熟,良品率不高,導致供不應求。

  以閃存顆粒技術為例,在去年三季度固態硬盤價格瘋漲最厲害的時間段,東芝、三星等主要閃存廠商都在加緊研發64層3D NAND技術,可不幸的是研發的結果不容樂觀,良品率相當低下﹔

  不僅不能按照原計劃上市基於64層3D NAND技術的全新固態產品,而且原有的48層3D NAND產品線也為了給64層3D NAND產品線讓道而無法繼續再生產,導致固態硬盤產品在去年三季度價格暴漲,直到今年年中64層3D NAND產品線的成熟才勉強漲停。

  然而,隨著需求的提升,來到今年三季度,64層3D NAND已然跟不上市場需求,72層3D NAND技術的成熟與否,則會決定下一年固態硬盤產品的走向。

8G內存破千在即 揭秘存儲產品暴漲之謎

  大容量存儲手機的流行

  外因則是,手機等產品線對於大容量存儲顆粒的旺盛需求,以及手機廠商極大地利潤率帶來的高議價能力,讓主流的晶圓廠商更加樂意為手機等新興產品線提供原材料以及存儲顆粒,相對應的分配給傳統存儲廠商的原材料及存儲顆粒的大幅減少,自然而然的導致成品的缺貨,價格大漲。

(責編:易瀟、沈光倩)

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