閃存顆粒的技術和發展現狀

　　由於閃存顆粒在當代對於存儲產品的重要性，根據其內部電子結構不同，全球閃存產品主要有三種，SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

　　SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命最長，但是造價昂貴，多用於企業級高端產品。

　　MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命相對較長長，造價可接受，多用民用高端產品。

　　TLC（三層式存儲），是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命相對較低，性價比高，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

　　slc/mlc/tlc區別

　　除此之外，近年來部分存儲巨頭，甚至已經在研發擁有四層存儲單元、更高的存儲密度的QLC閃存顆粒。

　　當然，除了在平面上進行單個晶圓內部的存儲容量的研發外，更加成熟、更加激進的研發方向其實是在3D立體存儲容量上的革新，即3D NAND閃存技術。

　　所謂3D NAND閃存技術，其實就是在原本隻有兩個方向即平面上進行顆粒排列的晶圓上，通過技術手段，進行顆粒的疊加，即在垂直方向上進行多個顆粒的堆疊，以實現單個晶圓的存儲容量的大規模提升。

　　可以簡單理解為，2D NAND技術就如同在一片空地上建造平房，但是空地面積是有限，超過空地總面積，也無法建造新的平房，而這些平房就可以理解為存儲空間。

　　相對應的3D NAND技術就像是同一片空地上建造樓房，理論上可以無限延伸內部空間，即使空地面積完全建完，也可以通過提高樓房的高度，創造新的空間。

　　如今，閃存行業，比較成熟和性價比高的技術依舊是64層3D NAND技術，在今年年底72層3D NAND技術應該可以實現較大的突破，甚至實現大規模量產，更有甚者部分領軍企業已經在研發96層以及更高堆疊層數的3D NAND顆粒了。

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