闪存颗粒的技术和发展现状

　　由于闪存颗粒在当代对于存储产品的重要性，根据其内部电子结构不同，全球闪存产品主要有三种，SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。

　　SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命最长，但是造价昂贵，多用于企业级高端产品。

　　MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命相对较长长，造价可接受，多用民用高端产品。

　　TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低， 使命寿命相对较低，性价比高，是当下主流厂商首选闪存颗粒。

　　slc/mlc/tlc区别

　　除此之外，近年来部分存储巨头，甚至已经在研发拥有四层存储单元、更高的存储密度的QLC闪存颗粒。

　　当然，除了在平面上进行单个晶圆内部的存储容量的研发外，更加成熟、更加激进的研发方向其实是在3D立体存储容量上的革新，即3D NAND闪存技术。

　　所谓3D NAND闪存技术，其实就是在原本只有两个方向即平面上进行颗粒排列的晶圆上，通过技术手段，进行颗粒的叠加，即在垂直方向上进行多个颗粒的堆叠，以实现单个晶圆的存储容量的大规模提升。

　　可以简单理解为，2D NAND技术就如同在一片空地上建造平房，但是空地面积是有限，超过空地总面积，也无法建造新的平房，而这些平房就可以理解为存储空间。

　　相对应的3D NAND技术就像是同一片空地上建造楼房，理论上可以无限延伸内部空间，即使空地面积完全建完，也可以通过提高楼房的高度，创造新的空间。

　　如今，闪存行业，比较成熟和性价比高的技术依旧是64层3D NAND技术，在今年年底72层3D NAND技术应该可以实现较大的突破，甚至实现大规模量产，更有甚者部分领军企业已经在研发96层以及更高堆叠层数的3D NAND颗粒了。

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