4日，在位於武漢東湖高新區的長江存儲科技有限責任公司(國家存儲器基地)，紫光集團聯席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將於今年第四季度在此實現量產。

　　中新社記者 張斌 攝

　　據悉，長江存儲於2017年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片，並獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

　　這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團隊歷時2年自主研發，是中國主流芯片中研發制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片，實現了中國存儲芯片“零”的突破。

　　刁石京介紹，目前，芯片生產設備正在進行安裝調試，今年第四季度，32層三維閃存芯片將在一號芯片生產廠房進行量產。此外，64層三維閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現量產。

　　刁石京表示，中國芯片技術落后於世界，但自主研發的腳步始終沒有停止，兩代芯片實現量產后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲芯片上的差距。

　　據悉，長江存儲由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設，負責國家存儲器基地項目。

　　根據規劃，至2023年，基地產能將達到每月30萬片，並形成設計、測試、封裝、制造、應用等上下游集群。

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